ON Semiconductor PZT751T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

9 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

75

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

800mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2A

频率

75MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

PZT751

引脚数量

4

元素配置

Single

功率耗散

800mW

箱体转运

COLLECTOR

增益带宽积

75MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

75 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A

转换频率

75MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1.57mm

长度

6.5mm

宽度

3.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅