ON Semiconductor PZTA29

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

质量

188mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2V

Number of Elements

1

hFEMin

10000

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

1W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

800mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

PZTA29

JESD-30代码

R-PDSO-G4

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

1W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10000 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 100μA, 100mA

转换频率

125MHz

最大击穿电压

100V

频率转换

125MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅