ON Semiconductor QRB1113

包装/外壳

PCB 安装

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

4

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

操作温度

-40°C~85°C

包装

Bulk

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

30V

输出电压

30V

输出类型

Phototransistor

工作电源电压

1.7V

通道数量

2

功率耗散

100mW

正向电流

50mA

回应时间

8μs, 8μs

上升时间

8μs

正向电压

1.7V

下降时间（典型值）

8 μs

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

20mA

感应距离

0.150 (3.81mm)

反向击穿电压

5V

反向电压

5V

波长

940 nm

感测方法

Reflective

输入电流

50mA

反向电压(直流电)

5V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅