ON Semiconductor QRB1114

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

PCB 安装

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Current-Collector (Ic) (Max)

20mA

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~85°C

包装

Bulk

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

85°C

最小工作温度

-40°C

电压 - 额定直流

30V

输出电压

30V

输出类型

Phototransistor

工作电源电压

1.7V

通道数量

2

功率耗散

100mW

正向电流

40mA

回应时间

8μs, 8μs

上升时间

8μs

正向电压

1.7V

下降时间（典型值）

8 μs

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

20mA

感应距离

0.150 (3.81mm)

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

反向击穿电压

5V

反向电压

5V

波长

940 nm

感测方法

Reflective

最大直流驱动电流（If）

50mA

输入电流

40mA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅