ON Semiconductor QRE1113

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)

工厂交货时间

14 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

4-DIP (0.157, 4.00mm)

引脚数

4

质量

62mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~85°C

包装

Tube

已出版

2013

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

本体宽度

2.7 mm

输出电压

30V

输出类型

Phototransistor

通道数量

1

终端类型

SOLDER

功率耗散

75mW

正向电流

50mA

回应时间

20μs, 20μs

上升时间

20μs

正向电压

1.2V

下降时间（典型值）

20 μs

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

20mA

感应距离

0.197 (5mm)

反向击穿电压

5V

反向电压

5V

感测方法

Reflective

传感器/传感器类型

LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE

输入电流

50mA

反向电压(直流电)

5V

VCEsat-最大值

0.3 V

高度

1.7mm

长度

3.6mm

宽度

2.9mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅