ON Semiconductor SBAS116LT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)

工厂交货时间

5 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

HTS代码

8541.10.00.70

最大功率耗散

300mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

BAS116

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

元素配置

Single

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

5nA @ 75V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.25V @ 150mA

正向电流

200mA

最大反向漏电电流

80nA

工作温度 - 结点

-55°C~150°C

最大浪涌电流

500mA

输出电流-最大值

0.2A

无卤素

无卤素

平均整流电流（Io）

200mA DC

最大反向电压（DC）

75V

平均整流电流

200mA

反向恢复时间

3 μs

峰值反向电流

5nA

最大重复反向电压(Vrrm)

75V

电容@Vr, F

2pF @ 0V 1MHz

最大正向浪涌电流（Ifsm）

500mA

恢复时间

3 μs

高度

1.01mm

长度

3.04mm

宽度

1.4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅