ON Semiconductor SBC807-16LT1G
- 收藏
- 对比
SBC807-16LT1G
1807-SBC807-16LT1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
SBC807-16LT1G详情
ON Semiconductor SBC807-16LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
5 Weeks
表面安装
YES
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
表面贴装
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-700mV
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Number of Elements
1
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2010
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
300mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
基本部件号
BC807
引脚数量
3
元素配置
Single
无卤素
无卤素
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
最高频率
100MHz
转换频率
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.11mm
长度
3.04mm
宽度
2.64mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SBC807-16LT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。