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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.42902
10
¥2.291532
100
¥2.161823
500
¥2.039453
1000
¥1.924011
ON Semiconductor SBC808-25LT1G
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- 对比
SBC808-25LT1G
1807-SBC808-25LT1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS PNP 25V 0.5A SOT-23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SBC808-25LT1G详情
ON Semiconductor SBC808-25LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
25V
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
300mW
基本部件号
BC808
引脚数量
3
元素配置
Single
无卤素
无卤素
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
25V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
转换频率
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SBC808-25LT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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