ON Semiconductor SBC856BDW1T3G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

380mW

终端形式

鸥翼

频率

100MHz

引脚数量

6

极性

PNP

功率耗散

380mW

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

65V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅