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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.775634
10
¥1.675126
100
¥1.580309
500
¥1.490857
1000
¥1.406468
ON Semiconductor SBCP53-16T1G
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- 对比
SBCP53-16T1G
1807-SBCP53-16T1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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Trans GP BJT PNP 80V 1.5A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SBCP53-16T1G详情
ON Semiconductor SBCP53-16T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-500mV
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
1.5W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
50MHz
基本部件号
BCP53
引脚数量
4
元素配置
Single
功率耗散
1.5W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
50MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
1.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
转换频率
50MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SBCP53-16T1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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