ON Semiconductor SGH23N60UFDTU
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SGH23N60UFDTU
1807-SGH23N60UFDTU
晶体管 - IGBT - 单个
TO-3P-3, SC-65-3
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IGBT 600V 23A 100W TO3P
1最小包装量--
SGH23N60UFDTU详情
ON Semiconductor SGH23N60UFDTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
引脚数
3
质量
6.401g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1V
Test Conditions
300V, 12A, 23 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
100W
额定电流
12A
基本部件号
SG*23N60
元素配置
Single
功率耗散
100W
输入类型
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
23A
反向恢复时间
60ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.6V @ 15V, 12A
闸门收费
49nC
集极脉冲电流(Icm)
92A
Td(开/关)@25°C
17ns/60ns
开关能量
115μJ (on), 135μJ (off)
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
SGH23N60UFDTU拓展信息
ON Semiconductor
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