ON Semiconductor SGP23N60UFDTU

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 12 hours ago)

工厂交货时间

36 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1V

Number of Elements

1

Test Conditions

300V, 12A, 23 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

100W

额定电流

23A

基本部件号

SG*23N60

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

功率耗散

100W

输入类型

Standard

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

23A

反向恢复时间

42 ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

55 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.6V @ 15V, 12A

关断时间-标准值（toff)

320 ns

闸门收费

49nC

集极脉冲电流（Icm）

92A

Td（开/关）@25°C

17ns/60ns

开关能量

115μJ (on), 135μJ (off)

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅