ON Semiconductor SMBT35200MT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

14 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

表面安装

YES

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

625mW

引脚数量

6

配置

Single

功率 - 最大

625mW

无卤素

无卤素

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

310mV

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1.5A 1.5V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

310mV @ 20mA, 2A

转换频率

100MHz

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

55V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅