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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.765554
10
¥2.609014
100
¥2.461335
500
¥2.322009
1000
¥2.190579
ON Semiconductor SMMBT3904TT1G
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- 对比
SMMBT3904TT1G
1807-SMMBT3904TT1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-75, SOT-416
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Bipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR NPN 60V
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SMMBT3904TT1G详情
ON Semiconductor SMMBT3904TT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-75, SOT-416
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Current-Collector (Ic) (Max)
200mA
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
300mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
基本部件号
MMBT3904
引脚数量
3
元素配置
Single
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
300MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 1V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 5mA, 50mA
转换频率
300MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
关断时间-最大值(toff)
250ns
接通时间-最大值(ton)
70ns
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SMMBT3904TT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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