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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.804568
10
¥0.759026
100
¥0.716063
500
¥0.675531
1000
¥0.637294
ON Semiconductor SMMBTA92LT1G
- 收藏
- 对比
SMMBTA92LT1G
1807-SMMBTA92LT1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SMMBTA92LT1G详情
ON Semiconductor SMMBTA92LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)
工厂交货时间
9 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-500mV
Number of Elements
1
hFEMin
25
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
300mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
频率
50MHz
基本部件号
MMBTA92
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
300mW
增益带宽积
50MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
300V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
25 @ 30mA 10V
最大集极截止电流
250nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 2mA, 20mA
转换频率
50MHz
最大击穿电压
300V
集电极基极电压(VCBO)
300V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.11mm
长度
3.04mm
宽度
2.64mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SMMBTA92LT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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