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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.135219
10
¥1.070961
100
¥1.010337
500
¥0.953147
1000
¥0.899196
ON Semiconductor SMMUN2216LT3G
- 收藏
- 对比
SMMUN2216LT3G
1807-SMMUN2216LT3G
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236, SC-59, SOT-23-3 variant, 3-SMD
大陆
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TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SMMUN2216LT3G详情
ON Semiconductor SMMUN2216LT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236, SC-59, SOT-23-3 variant, 3-SMD
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
250mV
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
内置偏置电阻
最大功率耗散
246mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
基本部件号
MMUN22**L
引脚数量
3
参考标准
AEC-Q101
极性
NPN
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 1mA, 10mA
电阻基(R1)
4.7 k Ω
高度
1.01mm
长度
3.04mm
宽度
1.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SMMUN2216LT3G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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