SMMUN2216LT3G
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ON Semiconductor SMMUN2216LT3G

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型号

SMMUN2216LT3G

utmel 编号

1807-SMMUN2216LT3G

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

封装

TO-236, SC-59, SOT-23-3 variant, 3-SMD

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

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SMMUN2216LT3G
SMMUN2216LT3G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

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SMMUN2216LT3G详情

ON Semiconductor SMMUN2216LT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236, SC-59, SOT-23-3 variant, 3-SMD

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    250mV

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 附加功能

    内置偏置电阻

  • 最大功率耗散

    246mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 基本部件号

    MMUN22**L

  • 引脚数量

    3

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 无卤素

    无卤素

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    160 @ 5mA 10V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    250mV @ 1mA, 10mA

  • 电阻基(R1)

    4.7 k Ω

  • 高度

    1.01mm

  • 长度

    3.04mm

  • 宽度

    1.4mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & SMMUN2216LT3G相似的参数规格。

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SMMUN2216LT3G拓展信息

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