ON Semiconductor SNSS20101JT1G
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SNSS20101JT1G
1807-SNSS20101JT1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-89, SOT-490
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Trans GP BJT NPN 20V 2A T/R
--最小包装量--
SNSS20101JT1G详情
ON Semiconductor SNSS20101JT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
2 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-89, SOT-490
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Power Dissipation (Max)
225mW
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
基本部件号
NSS20101
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
220mV
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
220mV @ 100mA, 1A
频率转换
350MHz
集电极基极电压(VCBO)
40V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SNSS20101JT1G拓展信息
ON Semiconductor
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