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内地含税价

1

￥3.200604
10

￥3.01944
100

￥2.848524
500

￥2.687287
1000

￥2.535176

ON Semiconductor SPZT2222AT1G

Name: SPZT2222AT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-SPZT2222AT1G
Price: 3.2 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SPZT2222AT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-SPZT2222AT1G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-261-4, TO-261AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R

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SPZT2222AT1G ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R

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SPZT2222AT1G详情

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型号对比

ON Semiconductor SPZT2222AT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间

8 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA
表面安装

YES
引脚数

4
质量

188.014037mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V
Collector-Emitter Saturation Voltage

1V
hFEMin

100
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2013
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-65°C
最大功率耗散

1.5W
基本部件号

PZT2222A
引脚数量

4
元素配置

Single
增益带宽积

300MHz
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

40V
最大集电极电流

600mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V
最大集极截止电流

10nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA
转换频率

300MHz
集电极基极电压(VCBO)

75V
发射极基极电压 (VEBO)

6V
连续集电极电流

600mA
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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SPZT2222AT1G拓展信息

热销零件