ON Semiconductor SS9012HBU

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

179mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-180mV

Number of Elements

1

hFEMin

64

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

-500mA

基本部件号

SS9012

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

144 @ 50mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

-40V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅