ON Semiconductor SZMMBZ47VALT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

二极管元件材料

SILICON

Breakdown Voltage / V

47V

Number of Elements

2

Usage Level

Automotive grade

操作温度

-55°C~150°C

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2014

容差

±5%

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.10.00.50

最大功率耗散

225mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101; IEC-61000-4-2

JESD-30代码

R-PDSO-G3

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

1 Pair Common Anode

元素配置

共阳极

二极管类型

跨压抑制二极管

反向泄漏电流@ Vr

50nA @ 38V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

900mV @ 10A

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

38V

齐纳电压

38V

最大非代表峰值转速功率Dis

40W

反向电流-最大值

0.05μA

击穿电压-最小值

44.65V

最大箝位电压

54V

击穿电压-最大值

49.35V

RoHS状态

ROHS3 Compliant