ON Semiconductor TF262TH-4-TL-H

生命周期状态

LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, Flat Lead

引脚数

3

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

100mW

元素配置

Single

功率耗散

100mW

场效应管类型

N-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3.5pF @ 2V

漏源电压 (Vdss)

-20V

连续放电电流(ID)

1mA

栅极至源极电压(Vgs)

-20V

漏源击穿电压

-20V

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

140μA @ 2V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

200mV @ 1μA

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅