ON Semiconductor TIP100

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

2W

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

TIP10*

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

80W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 3A 4V

最大集极截止电流

50μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 80mA, 8A

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

8A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅