ON Semiconductor TIP105TU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

1.214g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

hFEMin

1000

Number of Elements

1

已出版

2008

包装

Tube

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

2W

额定电流

-8A

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

80W

功率 - 最大

2W

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 3A 4V

最大集极截止电流

50μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 80mA, 8A

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

高度

16.51mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅