ON Semiconductor TIP112TU

生命周期状态

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工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.214g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

hFEMin

500

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

50W

额定电流

2A

基本部件号

TIP112

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

2W

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 1A 4V

最大集极截止电流

2mA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 8mA, 2A

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

16.51mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅