ON Semiconductor TIP115

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220-3

质量

1.214g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Number of Elements

1

hFEMin

500

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

2W

额定电流

-2A

基本部件号

TIP115

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

50W

功率 - 最大

2W

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

1mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 1A 4V

最大集极截止电流

2mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 8mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

转换频率

75MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-2A

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅