ON Semiconductor TIP29A

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220-3

质量

1.214g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

700mV

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Number of Elements

1

hFEMin

15

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

2W

额定电流

1A

频率

3MHz

基本部件号

TIP29

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

2W

功率 - 最大

2W

增益带宽积

3MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 1A 4V

最大集极截止电流

300μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 125mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

最高频率

3MHz

频率转换

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅