ON Semiconductor TIP32C

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

质量

1.214012g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-1.2V

Current-Collector (Ic) (Max)

3A

Number of Elements

1

hFEMin

10

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

-100V

最大功率耗散

2W

额定电流

-3A

频率

3MHz

基本部件号

TIP32

极性

PNP

电压

100V

元素配置

Single

电流

3A

功率耗散

2W

功率 - 最大

2W

增益带宽积

3MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 3A 4V

最大集极截止电流

300μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 375mA, 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100V

最高频率

3MHz

频率转换

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

6.35mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅