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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥18.67923
10
¥17.621911
100
¥16.62445
500
¥15.68344
1000
¥14.795702
ON Semiconductor TIP41BG
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- 对比
TIP41BG
1807-TIP41BG
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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Trans GP BJT NPN 80V 6A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TIP41BG详情
ON Semiconductor TIP41BG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Number of Elements
1
hFEMin
30
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
80V
最大功率耗散
2W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
6A
频率
3MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
TIP41
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
2W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
3MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
6A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
15 @ 3A 4V
最大集极截止电流
700μA
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 600mA, 6A
转换频率
3MHz
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
15.75mm
长度
10.28mm
宽度
4.82mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
TIP41BG拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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