ON Semiconductor TN5415A

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-226-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

200V

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-200V

最大功率耗散

1W

额定电流

-100mA

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

1W

功率 - 最大

1W

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

200V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 50mA 10V

最大集极截止电流

50μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

200V

集电极基极电压(VCBO)

200V

发射极基极电压 (VEBO)

4V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅