ON Semiconductor TN6727A

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

hFEMin

50

Number of Elements

1

包装

Bulk

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

电压 - 额定直流

-40V

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

额定电流

-1.5A

元素配置

Single

功率耗散

1W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 1A 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 1A

最大击穿电压

45V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅