ON Semiconductor ZTX749A_J05Z

工厂交货时间

48 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Number of Elements

1

hFEMin

70

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

1W

基本部件号

ZTX749A

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

1W

功率 - 最大

1W

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

35V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准