Panasonic Electronic Components MTM761100LBF
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MTM761100LBF
1850-MTM761100LBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-SMD, Flat Leads
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MTM761100LBF Series P-Channel 12 V 42 mOhm Silicon SMT MOSFET - WSMini6-F1-B
--最小包装量--
MTM761100LBF详情
Panasonic Electronic Components MTM761100LBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
700mW Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
42mOhm
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
700mW
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
42m Ω @ 1A, 4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1200pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
-4A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
漏源击穿电压
-12V
栅源电压
-650 mV
高度
700μm
长度
2mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MTM761100LBF拓展信息
Panasonic Electronic Components
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