MTM761100LBF
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Panasonic Electronic Components MTM761100LBF

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型号

MTM761100LBF

utmel 编号

1850-MTM761100LBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

6-SMD, Flat Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MTM761100LBF Series P-Channel 12 V 42 mOhm Silicon SMT MOSFET - WSMini6-F1-B

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MTM761100LBF Panasonic Electronic Components MTM761100LBF Series P-Channel 12 V 42 mOhm Silicon SMT MOSFET - WSMini6-F1-B

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MTM761100LBF详情

Panasonic Electronic Components MTM761100LBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-SMD, Flat Leads

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    4A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.8V 4V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    700mW Ta

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2010

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    42mOhm

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    700mW

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    42m Ω @ 1A, 4V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1200pF @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    12V

  • Vgs(最大值)

    ±8V

  • 连续放电电流(ID)

    -4A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    4A

  • 漏源击穿电压

    -12V

  • 栅源电压

    -650 mV

  • 高度

    700μm

  • 长度

    2mm

  • 宽度

    1.7mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和Panasonic Electronic Components & MTM761100LBF相似的参数规格。

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MTM761100LBF拓展信息

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