Panjit MMBTA42-AU_R1_000A1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

SOT-23

Dimensions

25x19x8mm

Package

THT

RoHS

有

Qualification

AEC-Q101

Unit Weight

0.000296 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Manufacturer

Panjit

Brand

Panjit

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

厂商

Panjit International Inc.

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

250 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

50 MHz

Maximum DC Collector Current

500 mA

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

300 V

系列

DC56-11

包装

MouseReel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

注意

-

功率 - 最大

250 mW

大小

0,56(14,22mm)

发光强度

28000 ucd

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 30mA, 10V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 2mA, 20mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

300 V

显示类型

7-segment

频率转换

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

300 V

共用引脚

Cathode

产品类别

Bipolar Transistors - BJT