Panjit MMBTA44_R1_00001

包装/外壳

SOT-23-3

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

SOT-23

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

225 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

50 at 10 mA, 10 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

750 mV

Unit Weight

0.000296 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

50 MHz

Manufacturer

Panjit

Brand

Panjit

Maximum DC Collector Current

300 mA

DC Current Gain hFE Max

200 at 10 mA, 10 V

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

400 V

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Current-Collector (Ic) (Max)

300 mA

厂商

Panjit International Inc.

Product Status

活跃

系列

HVT-03TN

包装

MouseReel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

225 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 10mA, 10V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

400 V

频率转换

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

500 V

连续集电极电流

300 mA

产品类别

Bipolar Transistors - BJT