Renesas Electronics America 2SJ162-E

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

1999

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-160V

端子位置

SINGLE

额定电流

-7A

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

900pF @ 10V

漏源电压 (Vdss)

160V

Vgs（最大值）

±15V

连续放电电流(ID)

7A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅