Renesas Electronics America 2SK1835-E

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

触点镀层

Copper, Tin

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Turn Off Delay Time

230 ns

已出版

2008

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7 Ω @ 2A, 15V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700pF @ 10V

上升时间

80ns

漏源电压 (Vdss)

1500V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

80 ns

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

7Ohm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅