Renesas Electronics America HAT2165H-EL-E

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

55A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

30W Tc

Turn Off Delay Time

60 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

20

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

30W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.3m Ω @ 27.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5180pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 4.5V

上升时间

65ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9.5 ns

连续放电电流(ID)

55A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

220A

DS 击穿电压-最小值

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅