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1

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10

￥33.836888
100

￥31.921593
500

￥30.114706
1000

￥28.410104

Renesas Electronics America NP109N04PUK-E1-AY

Name: NP109N04PUK-E1-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: 2038-NP109N04PUK-E1-AY
Price: 35.87 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NP109N04PUK-E1-AY

品牌

Renesas Electronics America

utmel 编号

2038-NP109N04PUK-E1-AY

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 40V 110A T/R

起订量

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NP109N04PUK-E1-AY Renesas Electronics America Trans MOSFET N-CH 40V 110A T/R

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NP109N04PUK-E1-AY详情

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型号对比

Renesas Electronics America NP109N04PUK-E1-AY重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

16 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数

3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

110A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

1.8W Ta 250W Tc
Turn Off Delay Time

105 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA
操作温度

175°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2011
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
配置

Single
接通延迟时间

30 ns
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

1.75m Ω @ 55A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

189nC @ 10V
上升时间

16ns
漏源电压 (Vdss)

40V
Vgs（最大值）

±20V
下降时间（典型值）

13 ns
连续放电电流(ID)

110A
栅极至源极电压(Vgs)

20V
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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NP109N04PUK-E1-AY拓展信息

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