RF Micro Devices Inc FPD1050
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FPD1050
2049-FPD1050
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE
1最小包装量--
FPD1050详情
RF Micro Devices Inc FPD1050重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
RF MICRO DEVICES INC
Part Package Code
DIE
Package Description
UNCASED CHIP, R-XUUC-N
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
UNCASED CHIP
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.40
端子位置
UPPER
终端形式
无铅
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XUUC-N
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
10 V
场效应管技术
高电子迁移率
最高频段
X 频带
环境耗散-最大值
3.4 W
FPD1050拓展信息
RF Micro Devices Inc
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