RF Micro Devices Inc FPD200P70
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FPD200P70
2049-FPD200P70
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
1最小包装量--
FPD200P70详情
RF Micro Devices Inc FPD200P70重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
砷化镓
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RF MICRO DEVICES INC
Package Description
DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
ROUND
Package Style
磁盘按钮
JESD-609代码
e4
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
GOLD
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
O-CRDB-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
8 V
场效应管技术
高电子迁移率
最高频段
K带
环境耗散-最大值
0.47 W
饱和电流
1
功率增益-最小值(Gp)
9 dB
FPD200P70拓展信息
RF Micro Devices Inc
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