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RF Micro Devices Inc FPD2250SOT89CESR

Name: FPD2250SOT89CESR
Brand: RF Micro Devices Inc
SKU: 2049-FPD2250SOT89CESR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FPD2250SOT89CESR

品牌

RF Micro Devices Inc

utmel 编号

2049-FPD2250SOT89CESR

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, PACKAGE-3

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FPD2250SOT89CESR详情

技术参数

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RF Micro Devices Inc FPD2250SOT89CESR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

3
晶体管元件材料

砷化镓
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

RF MICRO DEVICES INC
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Moisture Sensitivity Levels

1
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

175 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
无铅代码

无
ECCN 代码

EAR99
HTS代码

8541.29.00.75
端子位置

SINGLE
终端形式

FLAT
Reach合规守则

compliant
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSSO-F3
配置

SINGLE
操作模式

DEPLETION MODE
箱体转运

SOURCE
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值

8 V
场效应管技术

高电子迁移率
最高频段

S带
环境耗散-最大值

2.5 W

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FPD2250SOT89CESR拓展信息

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