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RF Micro Devices Inc FPD7612

Name: FPD7612
Brand: RF Micro Devices Inc
SKU: 2049-FPD7612
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FPD7612

品牌

RF Micro Devices Inc

utmel 编号

2049-FPD7612

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE

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FPD7612 RF Micro Devices Inc RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE

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FPD7612详情

技术参数

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RF Micro Devices Inc FPD7612重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
晶体管元件材料

砷化镓
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

RF MICRO DEVICES INC
Part Package Code

DIE
Package Description

DIE
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

175 °C
Package Body Material

UNSPECIFIED
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

UNCASED CHIP
ECCN 代码

EAR99
HTS代码

8541.21.00.40
端子位置

UPPER
终端形式

无铅
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-XUUC-N
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

DEPLETION MODE
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值

8 V
场效应管技术

高电子迁移率
最高频段

Ku波段
环境耗散-最大值

0.5 W

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FPD7612拓展信息

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