FGA25N120ANTD
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Rochester Electronics FGA25N120ANTD

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型号

FGA25N120ANTD

utmel 编号

2071-FGA25N120ANTD

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor

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FGA25N120ANTD
FGA25N120ANTD Rochester Electronics Insulated Gate Bipolar Transistor

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FGA25N120ANTD详情

Rochester Electronics FGA25N120ANTD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.5 V

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    1.2 kV

  • RoHS

    Compliant

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最大功率耗散

    312 W

  • 极性

    NPN

  • 功率耗散

    312 W

  • 上升时间

    50 ns

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.2 kV

  • 达到SVHC

    无SVHC

0个相似型号

FGA25N120ANTD拓展信息

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