Rochester Electronics, LLC 2N7000RLRA

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350mW Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡铅

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

60pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏极-源极导通最大电阻

5Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

RoHS状态

Non-RoHS Compliant