BSP299L6327HUSA1
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Rochester Electronics, LLC BSP299L6327HUSA1

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型号

BSP299L6327HUSA1

utmel 编号

2071-BSP299L6327HUSA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-261-4, TO-261AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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BSP299L6327HUSA1 Rochester Electronics, LLC SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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BSP299L6327HUSA1详情

Rochester Electronics, LLC BSP299L6327HUSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 供应商器件包装

    PG-SOT223-4

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    400mA Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    1.8W Ta

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    SIPMOS®

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    4Ohm @ 400mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    400pF @ 25V

  • 漏源电压 (Vdss)

    500V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Rochester Electronics, LLC BSP299L6327HUSA1.

BSP299L6327HUSA1拓展信息

PHK31NQ03LT,518
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Rochester Electronics, LLC

IPP80N04S2H4AKSA2
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IRF830
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BUZ21
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FDN358P
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NDT3055
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FDV303N
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IRF9630
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FQU4N50TU
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FDS6630A
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Rochester Electronics

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