Rochester Electronics, LLC BUZ215

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

75W

操作温度

-55°C~150°C

零件状态

Obsolete

终止次数

3

端子表面处理

未说明

附加功能

FREDFET

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2000pF @ 2A

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

20V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

1.5Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

500V

RoHS状态

ROHS3 Compliant