Rochester Electronics, LLC EMZ1DXV6T1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

哑光锡

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

COMMERCIAL

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

500mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN和PNP

晶体管类型

NPN, PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

转换频率

180MHz

频率转换

180MHz 140MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant