Rochester Electronics, LLC FQD5N20LTF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 37W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 1.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

325pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.2nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.8A

漏极-源极导通最大电阻

1.25Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

15.2A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant